III-Nitride Semiconductor Materials

1. S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren, J. Appl. Phys. 86, 1 ( 1999).
2. M. N. Yoder, IEEE Trans. Electron Devices 43, 1633 ( 1996).
3. F. Omnes, N. Marenco, B. Beaumont, and Ph. De Mierry, J. Appl. Phys. 86, 5286 ( 1999).
4. G. Coli, K. K. Bajaj, J. Li, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 78, 1829 ( 2001).
5. S. C. Choi, J.-H. Kim, J. Y. Choi, K. J. Lee, K. Y. Lim and G. M. Yang, J. Appl. Phys. 87, 172 ( 2000).
6. J. R. Jenny and J. E. Van Nostrand, R. Kaspi, Appl. Phys. Lett. 72, 85 ( 1998).
7. M. Asif Khan, Q. Chen, C. J. Sun, M. Shur, and B. Gelmont, Appl. Phys. Lett. 67, 1429 ( 1995).
8. E. Iliopoulos, K. F. Ludwig, Jr., T. D. Moustakas, and S. N. G. Chu, Appl. Phys.Lett. 78, 463 ( 2001).
9. R. F. Service, Science 271, 920 ( 1996).
10. L. E. Brus, J. Chem. Phys. 90, 2555 ( 1986).
11. Y. Kayanuma, Phys. Rev. B 38, 9797 ( 1988).
12. M. Benaissa, K. E. Gonsalves, and S. P. Rangarajan, Appl. Phys. Lett. 71, 3695 ( 1997).
13. J. B. A. Mitchell and S. L. Guberman, Eds., Dissociative Recombination: Theory, Experiment and Applications ( World Scientific, Singapore, 1999).
14. S. Ito, Y. Yamasaki, S. Omi, K.